高純水水在大規(guī)模集成電路工藝中的意義 1.電離雜質(zhì)的影響 據(jù)報導(dǎo)如果在硅片表面二氧化硅膜上附著粒徑為0.1μ的氯化鈉粒子,由于潮解作用,可擴展為半徑50μ的圓,這時鈉的表面濃度為1.5×10~(11)/cm~2,這些鈉如果都變?yōu)榭蓜与x子在1000A的氧化膜中移動,則使MOS開啟電壓偏移0.7V,這個值足以使產(chǎn)品造成不良影響。又如在硅片上附著粒徑為0.1μ的金粉,熱處理全部擴散至基片中,并均勻地分布